最新: 10-Q  ·  2026-06-25

マイクロン

Micron Technology, Inc.

DRAM / NAND フラッシュメモリの世界大手。データセンター (HBM)・モバイル・PC・自動車向けに展開する。

MUテクノロジー公式 IR

次回決算予定

2026.09.21 · 月曜

コンセンサス予想

売上予想
8.53 兆円
EPS 予想 (調整後)
5277.0 円

最新四半期

FY2026 Q3· 2026-06-25 発表
売上
6.71 兆円
売上 YoY
+345.7%

前年同期比

売上 QoQ
+73.7%

前期比

EPS (GAAP)
3992.8 円
EPS YoY
+1368.5%

前年同期比

EPS QoQ
+104.4%

前期比

売上構成

2026-06-25 発表

売上構成比前年比
  • CMBU2.23 兆円33.2%—
  • CDBU1.87 兆円27.8%—
  • MCBU1.86 兆円27.8%—
  • AEBU7,500 億円11.2%—
  • All other13 億円0.0%+166.7%

指標推移

直近 6 四半期

売上

兆円

売上推移の折れ線チャート5.734.102.4725Q225Q325Q426Q126Q226Q36.71

EPS (GAAP)

円

EPS (GAAP)推移の折れ線チャート3314.42183.81053.125Q225Q325Q426Q126Q226Q33992.8

営業利益

兆円

営業利益推移の折れ線チャート4.472.941.4125Q225Q325Q426Q126Q226Q35.39

フリーキャッシュフロー

兆円

フリーキャッシュフロー推移の折れ線チャート2.331.470.6125Q225Q325Q426Q126Q226Q32.84

財務指標

四半期

期間売上高粗利益営業利益純利益FCFEPS (GAAP)
FY2026 Q36.71 兆円+345.7% YoY+73.7% QoQ5.67 兆円+899.3% YoY+97.4% QoQ5.39 兆円+1436.1% YoY+106.5% QoQ4.57 兆円+1398.3% YoY+104.9% QoQ2.84 兆円+951.0% YoY+218.4% QoQ3992.8 円+1368.5% YoY+104.4% QoQ
FY2026 Q23.79 兆円+196.3% YoY+74.9% QoQ2.82 兆円+499.2% YoY+132.2% QoQ2.56 兆円+810.0% YoY+163.0% QoQ2.19 兆円+770.8% YoY+163.1% QoQ8,760 億円黒転 YoY+82.5% QoQ1916.8 円+756.0% YoY+162.4% QoQ
FY2026 Q12.13 兆円+56.7% YoY+20.6% QoQ1.19 兆円+128.4% YoY+51.3% QoQ9,558 億円+182.2% YoY+67.9% QoQ8,162 億円+180.2% YoY+63.7% QoQ4,707 億円+7852.6% YoY+4097.2% QoQ716.5 円+175.4% YoY+62.5% QoQ
FY2025 Q41.67 兆円+46.0% YoY+21.7% QoQ7,447 億円+84.7% YoY+44.1% QoQ5,384 億円+140.1% YoY+68.5% QoQ4,717 億円+260.9% YoY+69.8% QoQ106 億円-74.7% YoY-95.7% QoQ417.0 円+249.4% YoY+68.5% QoQ
FY2025 Q31.51 兆円+36.6% YoY+15.5% QoQ5,678 億円+91.5% YoY+18.4% QoQ3,511 億円+201.7% YoY+22.3% QoQ3,051 億円+467.8% YoY+19.1% QoQ2,705 億円+322.0% YoY黒転 QoQ271.9 円+460.0% YoY+19.1% QoQ
FY2025 Q21.28 兆円+38.3% YoY-7.5% QoQ4,706 億円+174.6% YoY-11.5% QoQ2,816 億円+828.3% YoY-18.4% QoQ2,514 億円+99.6% YoY-15.3% QoQ-179 億円赤字縮小 YoY赤転 QoQ223.9 円+98.6% YoY-15.6% QoQ

年次

期間売上高粗利益営業利益純利益FCFEPS (GAAP)
FY2025 FY5.51 兆円+48.9% YoY2.19 兆円+165.0% YoY1.44 兆円+649.2% YoY1.26 兆円+997.6% YoY2,458 億円+1278.5% YoY1118.4 円+984.3% YoY
FY2024 FY3.70 兆円+61.6% YoY8,271 億円黒転 YoY1,921 億円黒転 YoY1,146 億円黒転 YoY178 億円黒転 YoY103.1 円黒転 YoY
FY2023 FY2.29 兆円-49.5% YoY-2,086 億円赤転 YoY-8,465 億円赤転 YoY-8,595 億円赤転 YoY-9,013 億円赤転 YoY-786.8 円赤転 YoY
FY2022 FY4.51 兆円2.04 兆円1.42 兆円1.27 兆円4,565 億円1136.1 円

提出書類

10-Q

2026.06.25

木曜

史上最高の四半期売上・利益を記録、AI需要でDRAM・NAND価格が急騰。戦略顧客契約で将来収益の予見性向上も、法人税・地政学リスクに注視

  • 売上高 $41.5B（前年同期比+346%、前期比+74%）— AI需要を背景にDRAM・NANDの平均販売価格（ASP）が急伸
  • 粗利率 85%（前年同期38%→前期74%→今回85%）— 大幅改善。DRAM ASPは前年同期比低-260%台増、NAND ASPは中-310%台増
  • 純利益 $28.2B（前年同期$1.9B）、EPS（希薄化後）$24.67（前年同期$1.68）
  • 営業利益 $33.3B、営業利益率 80%。全4事業セグメント（CMBU/CDBU/MCBU/AEBU）すべてで営業利益率75%超
  • 戦略顧客契約（take-or-pay方式）をQ3/Q4に締結。最低価格帯でも過去サイクルのピーク四半期粗利を大きく上回る粗利を見込む。実行済み契約に基づく現金預かり金等總額 $22B見込み

会社ガイダンス

通期

2026年度通期: 設備投資（政府補助金除く純額）約$27Bを見込む。実効税率15.0%（Q3）。戦略顧客契約に基づく現金預かり金等を総額$22B受領見込み（うち約$18Bが現金預り金）。CHIPS Act直接助成金最大$6.4B。

背景・要因

  • AI需要の急拡大によりメモリ・ストレージ需要が業界供給を上回る需給逼迫が継続
  • DRAM ASP：前期比低-60%台増、前年同期比低-260%台増。NAND ASP：前期比中-80%台増、前年同期比中-310%台増
  • DRAMビット出荷：前期比低-1桁%増、前年同期比低-20%台増。NANDビット出荷：前期比中-1桁%増、前年同期比低-2桁%増
  • 戦略顧客契約の締結（take-or-pay方式、複数年契約）により収益の予見性が向上
  • シンガポールPillar Twoミニマム法人税（15%）が実効税率を押上げ（15.0%）

リスク・懸念

  • DRAM/NANDの平均販売価格の急激な変動リスク（過去5年でDRAMは+40%台から-40%台まで変動）
  • 中国CAC（サイバーセキュリティ審査）による販売制限継続、追加制裁リスク
  • 台湾地政学リスク（DRAM生産の大部分を台湾拠点に依存）
  • 大規模設備投資（2026年設備投資約$27B（政府補助金除く純額））の実行リスク、資金調達・完工遅延リスク
  • 新たな米国関税（Section 232半導体調査中）・貿易規制の不透明感、OBBBA税制改正の影響不確定
  • 特許訴訟リスク（Netlist、YMTC他複数訴訟係属中）

原文

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8-K

2026.06.24

水曜

記録的な四半期、AIメモリー需要で売上41.46Bドル、次四半期ガイダンスも大幅増収見込み

  • 売上高は41.46Bドル（前期比+74%、前年同期比+346%）、純利益（Non-GAAP）28.86Bドル、EPS 25.11ドル
  • Cloud Memory事業部売上13.77Bドル（粗利率83%）、Core Data Center事業部売上11.52Bドル（粗利率87%）が全体を牽引
  • 営業キャッシュフロー25.39Bドル、設備投資7.1Bドル、調整後フリーキャッシュフロー18.3Bドル
  • 期末現金・有価証券残高30.2Bドル、総資産134.1Bドル（前期101.5Bドル）
  • HBM4の量産出荷継続、HBM4E（1-gamma DRAM）開発順調、1-gamma LPDDR5Xがスマートフォン大手で量産ランプ開始

会社ガイダンス

次四半期

FQ4-26（2026年8月期）ガイダンス：売上50.0Bドル±1.0Bドル、粗利率（Non-GAAP）約86%、営業費用（Non-GAAP）1.65Bドル、希薄化後EPS（Non-GAAP）31.00ドル±1.00ドル

背景・要因

  • AI時代におけるメモリー需要の急拡大（データセンター向けDRAM/HBMが牽引）
  • Strategic Customer Agreements（戦略的顧客契約）による長期需要の取り込みと収益の予見性向上
  • 全事業セグメント（Cloud / Data Center / Mobile & Client / Automotive & Embedded）で前四半期比・前年同期比ともに大幅増収

リスク・懸念

  • Forward-looking statementsの中で、SEC提出書類に記載されたリスク要因（investors.micron.com/risk-factor 参照）への言及あり

原文

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10-Q

2026.03.19

木曜

AI需要爆発で売上前年比約3倍、四半期純利益138億ドルと過去最高級の決算。DRAM・NANDのASPが急伸、粗利率74%に改善。

  • 【売上高】第2四半期（2/26締め）は238.6億ドル（前年比+196%）。DRAM売上187.7億ドル（同+207%）、NAND売上50.0億ドル（同+169%）。
  • 【粗利率】74%（前年同期37%から急改善）。DRAM・NANDとも平均販売価格（ASP）の大幅上昇と好ましいミックスが寄与。
  • 【EPS】希薄化後EPSは12.07ドル（前年同期1.41ドル）。6ヶ月累計では16.68ドル。
  • 【セグメント別】CMBU 77.5億ドル（前四半期比+47%）、MCBU 77.1億ドル（同+81%）、CDBU 56.9億ドル（同+139%）と全セグメントでASP上昇が牽引。
  • 【設備投資】6ヶ月累計の有形固定資産支出は117.8億ドル（前年同期72.6億ドル）。2026年通期の設備投資（政府補助金控除後）は250億ドル超を見込む。

会社ガイダンス

通期

2026年通期の設備投資（有形固定資産、政府補助金控除後）は250億ドル超を見込む。実際の金額は市場環境により変動。

背景・要因

  • AI駆動のデータセンタ需要がメモリ・ストレージ需要を業界供給を上回るペースで拡大させ、DRAM・NANDのASPが急上昇。
  • DRAM ASPは前四半期比で60%台半ば上昇、NAND ASPは同70%台後半上昇。
  • DRAM・NANDともにビット出荷数量も増加（前四半期比DRAM中一桁%増、NAND低一桁%増）。
  • 製造原価低減も粗利改善に貢献。

リスク・懸念

  • 中国CACによるMicron製品購入制限が継続中で、中国・香港向け売上に影響。
  • 国際的な貿易規制・関税リスク（米国セクション232・301調査の影響不透明）。
  • 税制リスク：Pillar Two（15%最低税率）のシンガポール施行により税負担が増加。OBBBA（米国）の影響も不透明。
  • 設備投資拡大（年250億ドル超）に伴う回収リスク、ファブ建設の遅延・コスト増リスク。
  • HBM需要減少によりDRAM市場が供給過剰になる可能性。

原文

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8-K

2026.03.18

水曜

過去最高の売上・利益を更新、AI向けメモリ需要が急拡大、FQ3も過去最高の見通し

  • 売上 $23.86B（前四半期比+75%、前年同期比+196%）と過去最高を更新
  • Non-GAAP EPS $12.20（前四半期$4.78→$12.20）、GAAP純利益 $13.79B
  • Non-GAAP粗利率 74%（前四半期56%→74%）、全セグメントで粗利率が急改善
  • 営業キャッシュフロー $11.90B、調整後FCF $6.9B（前年同期$0.86Bから大幅増）
  • Cloud Memory BU売上 $7.75B（前四半期比+47%）、Core Data Center BU $5.69B（同+139%）

会社ガイダンス

次四半期

FQ3-26（2026年5月期四半期）ガイダンス：売上 $33.5B±$750M、Non-GAAP粗利率 約81%、Non-GAAP営業費用 $1.40B、Non-GAAP希薄化後EPS $19.15±$0.40（GAAPベース $18.90±$0.40）。すべて過去最高を更新する見通し。

背景・要因

  • AI時代のメモリ需要急拡大（データセンター向けDRAM/HBM）が記録的な売上を牽引
  • 業界全体の供給タイトな状況とMicronの強力な実行力（strong execution）
  • 全セグメント（Cloud Memory, Core Data Center, Mobile & Client, Auto & Embedded）で前四半期比大幅増収・マージン改善

原文

SEC EDGARGoogle翻訳.txt